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Titre: Croissance des matériaux chalcogéniures et des métaux (Ag, In, Mg et Au) par la technique MBE sur des couches de nitrures d'aluminium

Domaine: Sciences de la matière (SM)

Filière: Physique

Option: PHYSIQUE DES MATERIAUX

Auteur: KHOUSSA Hassan

Soutenu (e) le: 19/06/2019

Sous la direction de: BELHADJI Maamar, Professeur, Université Oran 1

Co-directeur:MARTROU David, Directeur de recherche, CEMES, CNRS Toulouse

Le président du jury : HAMOU Ahmed, Professeur, Université Oran 1

Examinateur1: GABOUZE Noureddine, Directeur de recherche, CRTS Alger

Examinateur2: TAIBI Hamed, Professeur, Université Oran 1

Examinateur3: HAMZAOUI Saad, Professeur, USTO Oran

Examinateur4: GHAMNIA Mostefa, Professeur, Université Oran 1

Mention: Très Honorables

Résumé:

Dans ce travail, nous nous sommes intéressés à l'étude de la croissance épitaxiale des nano-îlots métalliques de : In, Ag, Mg et Au sur des surfaces de couches minces de nitrure d'aluminium (AlN (0001) que nous avons préparées sur du carbure de silicium (SiC (0001)) massif. Le nitrure d'aluminium est un matériau qui peut avoir des propriétés semi-conductrices ou isolantes, c'est un matériau à large bande interdite directe (6.2 eV), ayant des propriétés électriques et thermiques intéressantes. Le nitrure d'aluminium est intéressant pour la réalisation de dispositifs optoélectroniques de hautes performances en émission ou en détection tels que les DELs, les lasers ou les photo-détecteurs. Malheureusement, l'obtention de bonnes couches d'AlN (0001) n'est pas facile à élaborer. Les difficultés de son élaboration, les problèmes liés à la présence de densités élevées de défauts cristallins dans les couches épitaxiées constituent des handicaps majeurs au développement des technologies AlN. Le présent travail réside dans la continuité de ce qui a été fait antérieurement en élaborant par la technique de croissance MBE des couches de nitrure d'aluminium sur des substrats de carbure de silicium orienté dans le plan (0001). Nous avons donc étudié les dépôts de ces métaux sur la surface reconstruite AlN (0001) (2x2) -Nad par les techniques RHEED, NC-AFM et KPFM. Ces techniques nous ont permis d'observer différents modes de croissance.


Mots clefs: Croissance; EJM (épitaxie par jet moléculaire); NC AFM (Microscopie à Force Atomique); Nitrures des semi-conducteurs; Nano-ilots métalliques; Ultra Vide (UHV-DUF); Energie de Gap; Carbure de silicium; Nitrure d'aluminium; Couche Mince.


Publications associées à la thèse

Article 1 TH5051:

Titre: Morphology and Work Function of In, Ag, Mg, and Au Nano-Islands Grown on AlN(0001) Surface

Revue: Physica Status Solidi PSS

Référence: B 2017, 1700482

Date: 10 novembre 2017

Publications associées à la thèse

Article 2 TH5051:

Titre: Stabilization of Au Monatomic-High Islands on the (2 × 2)Nad Reconstructed Surface of Wurtzite AlN(0001)

Revue: PHYSICAL REVIEW APPLIED

Référence: 8, 044002 (2017)

Date: 10 octobre 2017

Publications associées à la thèse

Article 3 TH5051:

Titre: Tellurium Crystallisation in GeTeSb System

Revue: Journal of Crystallization Process and Technology

Référence: 2011, 1, 63-65

Date: 06 septembre 2011