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Titre: Modélisation électrique d'hétérostructures semiconductrices à base d'antimoine

Domaine: Mathématiques informatique (MI)

Filière: Physique

Option: PHYSIQUE DU SOLIDE

Auteur: BOUKREDIMI Djamel

Soutenu (e) le: 20/11/2007

Sous la direction de: M. MEBARKI, Professeur, Université Oran

Le président du jury : L. CHAHED, Professeur, Université Oran

Examinateur1: A. KADOUN, Professeur, Université S.B.A.

Examinateur2: A. KHALIL, Professeur, Université Oran

Examinateur3: .D. SIB, Professeur, Université Oran

Invité: H. AIT KACI, Professeur, USTOran

Résumé:

Le travail que nous effectuons dans le cadre de cette thèse concerne la modélisation de composants optoélectroniques pour les applications dans le moyen infrarouge. Compte tenu de sa large étendue spectrale, le domaine infrarouge est généralement subdivisé en trois régions le proche infrarouge, le moyen infrarouge et l’infrarouge lointain . notre étude portera sur les solutions solides quaternaires GaInAsSb et GaAlAsSb qui apparaissent, donc, comme des matériaux de choix pour la réalisation des composants moyen infrarouge. De plus, les hétérostructures mixtes à base de ces matériaux présentent un réel potentiel pour la réalisation de lasers et de détecteurs performants aux longueurs d’onde 3‐5 μm et 8‐12 μm des fenêtres atmosphériques.


Mots clefs: Moyen infrarouge; Capacité-tension; GaInAsSb; Affinité corrigée; Modélisation électrique; Polarisation directe; GaAlAsSb; Porteurs libres; Forte injection; Band-offsets.